南开王小野课题组【Angew】基于硼硫蒽的高性能有机光电材料

NA有望视为高电导率半导体材质。

三幅5. DPBNADRAM形体、构件表征以及OFET石墨管效能

为了评估TPBNA和DPBNA的电容电导率，所作通过物理化学气相沉积法（PVT）植被了DRAM并为中心了底栅-顶端接触同型OFET石墨管。TPBNA石墨为点状的带状形体，其展现出原先现代的p同型半导体以太网连续性，第二大电导率仅为1.85 × 10-3cm2 V-1 s-1。而DPBNA则可以植被为规则的二维正方形石墨，紧密结合入射自旋显微镜以及选区自旋衍射可以确定石墨中都大分子的对齐构件（三幅5）。DPBNA的DRAM石墨管展现出新带电粒子以太网的各向异性：沿着a轴承顺时针，第二大电导率为0.73 cm2V-1 s-1，最极低电导率为0.34 cm2 V-1 s-1；而沿着b轴承，第二大电导率为1.3 cm2V-1 s-1，最极低电导率为0.56 cm2 V-1 s-1。这确实b轴承是DPBNADRAM中都的一个系统带电粒子以太网顺时针，这与转到以此类推计数得出新论点的论点明确。因此，得益于大分子间强的自旋耦合以及制备的高品质DRAM，DPBNA展现出原先电导率能比高于TPBNA，并首次高达了1 cm2 V-1s-1，这也是目前刊文的电导率最高的BN-PAH大分子。

三幅6. 托于DPBNA的有机虹石墨管石墨管效能

终于，托于DPBNA不俗的带电粒子以太网连续性，所作制备了托于DPBNADRAM的虹石墨管石墨管（phototransistor）。在405 nm的虹照射下，DPBNA辨识出新优异的虹测量连续性（三幅6）。通过改变栅压和虹照强度，石墨管展现出新能避免的虹响应效能，其Rmax，Pmax，和D*max分别达到4.3 × 104A W-1，6.3 × 108，1.7 × 1015Jones，这是目前刊文的效能一个系统异的有机虹石墨管之一，并且比起托于非晶硅的虹石墨管石墨管（R：300 A W-1）。在完全相同的石墨管加工与测试条件下，所作也将DPBNA与其对应的碳管状2,6-二磺酸蒽（DPA）的石墨管效能进行了对比。尽管DPBNA的电导率略极低，却展现出新相当的虹测量连续性，这确实BN单元的引入无论如何在诱发带电粒子复合等层面中都不具备潜在的优势，值得愿景有利于研究者。

综上所述，所作通过“内侧改建工程”，首次借助了托于BN-PAHs的高电导率OFET石墨管。DPBNA的电导率高达1.3 cm2V-1 s-1，是目前刊文的BN-PAHs中都的最高值，并首次高达了非晶硅（0.5 ~ 1 cm2V-1 s-1），是第一例可以跻身高电导率有机半导体一齐的BN-PAH大分子（三幅7）。此外，托于DPBNADRAM的虹石墨管石墨管在405 nm虹照下展现出新优异的虹测量效能，有利于拓展了BN-PAHs在虹电石墨管教育领域的运用。因此，托于比较丰富的BN-PAHs管状，“内侧改建工程”思路将对理应都开发高效能有机虹电材质起到至关极为重要的功用。该工作将有利于促成锗碳杂稠环对二甲苯材质的持续发展，为愿景开发高效能、多功能的有机虹电材质与石墨管备有原先机遇。

三幅7. 本文工作概览

该工作现阶段刊载在Angew. Chem. Int. Ed.上，第一所作为中国人民大学博士研究者生李琬卉和硕士研究者生杜呈卓，的通讯所作为王上田研究者员。合所作包括中国大学裴坚名誉教授、王婕妤副名誉教授、姚泽凡博士以及上海交通大学胡文平名誉教授。

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